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金融界2024年4月29日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“光阻组成物及形成光阻图案的方法“授权公告号CN110955112B,申请日期为2019年9月。专利摘要显示,一种光阻组成物及形成光阻图案的方法。形成光阻图案的方法包括:形成上方层于等我继续说。 。

金融界2024年4月29日消息,据国家知识产权局公告,台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“光阻组成物及形成光阻图案的方法“授权公告号CN110955112B,申请日期为2019年9月。专利摘要显示,一种光阻组成物及形成光阻图案的方法。形成光阻图案的方法包括:形成上方层于等我继续说。

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设置在该透镜后面,并被配置为透射被该透镜折射的该信号光;第二反射镜,设置在该针孔后面,并位于该透光间隔物上方,并被配置为将通过该针孔透射的该信号光反射到该光电二极管阵列的该表面;以及电子电路,被配置为处理该光电二极管阵列产生的电信号,以产生该手指的指纹图案的图后面会介绍。

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金融界2024年4月26日消息,据国家知识产权局公告,苹果公司申请一项名为“主动照明系统“的专利,公开号CN117940834A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示,主动照明系统能在相机传感器处产生衍射图案的基准图案被蚀刻或以其他方式提供在相机前方的覆盖玻璃(CG)的表面上。..

金融界2024年4月26日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件及其制造方法“公开号CN117936460A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本发明提供一种半导体器件的制造方法和一种半导体器件,该制造方法包括:在子栅极牺牲图案和半导体图案好了吧!

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金融界2024年4月26日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体器件“公开号CN117936566A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,一种半导体器件可以包括:包括有源图案的衬底、在有源图案上的沟道图案、源极/漏极图案、栅电极和绝缘图案。沟道图后面会介绍。

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第一有源图案,其在所述第一元件分隔结构与所述第二元件分隔结构之间沿所述第一方向延伸;第二有源图案,其在所述第二元件分隔结构与所述第三元件分隔结构之间沿所述第一方向延伸并且通过所述第二元件分隔结构与所述第一有源图案分隔开;第一栅电极,其在所述第一有源图案上沿是什么。

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金融界2024年4月23日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“半导体装置“的专利,公开号CN117917773A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括:有源图案,在第一方向上延伸;多个栅极结构,在第一方向上间隔开,并且包后面会介绍。

隋朝莫高窟以其壮丽的艺术造型和独特的藻井图案而闻名于世。近年来,设计师们开始将这些古老而优雅的图案引入现代时尚领域,特别是在丝巾设计中。其中的藻井图案以其独特的构图、精致的线条和浓烈的色彩给人留下深刻印象。这些图案通常包括植物、动物、神仙等元素,展现了隋是什么。

荷兰阿斯麦公司宣布,其首台采用0.55数值孔径投影光学系统的高数值孔径极紫外光刻机已经成功印刷出首批图案,这标志着ASML公司以及整个高数值孔径EUV光刻技术领域的一项重大里程碑。本文源自金融界AI电报

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金融界2024年4月17日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“最小化半导体图案中光学邻近校正误差的方法及设备“授权公告号CN111061130B,申请日期为2019年8月。专利摘要显示,一种用于最小化半导体图案中的光学邻近校正误差的方法。该方法包括以量好了吧!

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