过电压通常分为哪几种,过电压通常分为

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过电压通常分为

电晶体电压输出=电晶体电流输出+电流对电压转换 电晶体的集电极电阻作为一个电流电压转换器。 由於电压降VRC是浮动的，通常的互补性（电源）电压降VCE是用作输出。因此，这些晶体管电路反相（当输入电压升高时，输出电压下降和VV） 类似的技术用於获取晶体管的发射极电压（见下面一节有关负反馈电流源。 。

电晶体电压输出=电晶体电流输出+电流对电压转换 电晶体的集电极电阻作为一个电流电压转换器。 由於电压降VRC是浮动的，通常的互补性（电源）电压降VCE是用作输出。因此，这些晶体管电路反相（当输入电压升高时，输出电压下降和VV） 类似的技术用於获取晶体管的发射极电压（见下面一节有关负反馈电流源。

通常具有非常大的带隙宽度，价带电子很难被激发至导带，因此绝缘体的载流子浓度极低，相应地电导也极低，或者说这种材料绝缘。 理论上是如此，然而，实际上对于绝缘体，总存在一个击穿电压，这个电压能给予价带电子足够的能量，将其激发到导带。一旦超过了击穿电压，这种材料就不再绝缘了。击穿通常伴随着破坏材料绝缘性的物理或化学变化。。

tong chang ju you fei chang da de dai xi kuan du ， jia dai dian zi hen nan bei ji fa zhi dao dai ， yin ci jue yuan ti de zai liu zi nong du ji di ， xiang ying di dian dao ye ji di ， huo zhe shuo zhe zhong cai liao jue yuan 。 li lun shang shi ru ci ， ran er ， shi ji shang dui yu jue yuan ti ， zong cun zai yi ge ji chuan dian ya ， zhe ge dian ya neng gei yu jia dai dian zi zu gou de neng liang ， jiang qi ji fa dao dao dai 。 yi dan chao guo le ji chuan dian ya ， zhe zhong cai liao jiu bu zai jue yuan le 。 ji chuan tong chang ban sui zhe po huai cai liao jue yuan xing de wu li huo hua xue bian hua 。 。

缩写AC和DC也经常被用来表示简单的“交”和“直”，因为其既可表示电流也可用来表示电压。 第一个商业化的电力传输是由托马斯·爱迪生在十九世纪后期开发的110伏特直流电。然而由于在传输和电压转换的差异，目前几乎所有的电力分配都为交流电。在20世纪50年代中期，曾经发展过超高压直流电系统，现在该技术是在远程及水下电力传输上，除。

找来可调稳压电源和电流表，给继电器输入一组电压，且在供电回路中串入电流表进行监测。慢慢调高电源电压，听到继电器吸合声时，记下该吸合电压和吸合电流。为求准确，可以试多几次而求平均值。 也是像上述那样连接测试，当继电器发生吸合后，再逐渐降低供电电压，当听到继电器再次发生释放声音时，记下此时的电压和电流，亦可尝试多几次而取得平均的释放电压。

电压规格是100伏或127伏。 应区分供电点的电压（电力公司与使用者互连点的標称电压）和设备的额定电压（使用电压或负载电压）。通常使用电压比標称系统电压低3%到5%，例如：標称的208V供应系统將连接到標示「200V」的电机，允许装置和电源之间的电压下降。本文中的电压。

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..等，是一种固定式电压输出线性电压调节器的集合。通常被用在需要稳定电源的电路中，具有便利性（易於使用）且低成本的优点。xx指的是其输出电压，例如LM7812的输出电压为12伏特。此种调节器输出之电压相对於接地点为高，故被称作正电压型调节器。可以和负电压型调节器LM79xx搭配使用，以同时提供电路正负电压。。

关断由门极和阴极端子之间的“负电压”脉冲完成，一些正向电流（占比约1/3至1/5）用于感应出阴极-门极电压，这反过来会使正向电流下降，引致GTO关断。关断期间必须限制GTO的正向电压（通常约为正向阻断电压额定值的20%）直到电流消失，如果关断时电压上升过快，高电压。

⁄ 3弧度）。发电机频率通常为 50Hz 或 60 Hz ，具体取决于国家／地区。 在发电站，变压器将发电机的电压改变到适合传输的水平，以尽量减少损失。 在输电网络进一步进行电压转换后，最终将电压转换为标准利用率，然后再向客户供电。。

通常为单端输出（Differential-in, single-ended output） 的高增益（gain）电压放大器。运算放大器能产生一个比输入端电势差大数十万倍的输出电势（对地而言）。因为刚开始主要用于加法，减法等类比运算电路中，因而得名。 通常。

变容二极管在反向偏置状态下工作，因此没有直流电流流过器件。反向偏置量控制耗尽区的厚度，因此控制变容二极管的结电容。电容变化特性取决于掺杂分布。通常，对于突变的结轮廓，耗尽区厚度与施加电压的平方根成正比，而电容与耗尽区厚度成反比。因此，电容与施加电压的平方根成反比。对于超突变结轮廓电容变化更非线性，。

电压是确定的，而流过它的电流是任意的。 由于内阻等多方面的原因，理想电压源在真实世界是不存在的，但这样一个模型对于电路分析是十分有价值的。实际上，如果一个电压源在电流变化时，电压的波动不明显，我们通常就假定它是一个理想电压源。 常见实际电源的工作机理比较接近电压源，例如发电机以及蓄电池。 依电压。

电压门控离子通道（英语：Voltage-gated ion channels）是一类跨膜蛋白，在附近的膜电位变化时来可激活形成离子通道。膜电位改变可改变该通道蛋白的构象，来调节其打开和关闭。离子通常情况下不可渗透细胞膜，因此它们必须通过跨膜的蛋白通道来穿越细胞膜。通道的打开和关闭是通过改变细胞膜两侧之间的离子浓度以及电荷梯度来触发的。。

当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制。此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。 IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管，如图1所示。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常。

theorem）又称等效电压源定律，是由法国科学家L·C·戴维南于1883年提出的一个电学定理。由於早在1853年，亥姆霍兹也提出过本定理，所以又称亥姆霍兹-戴维南定理。其内容是：一个含有独立电压源、独立电流源及电阻的线性网络的两端，就其外部型態而言，在电学上可以用一个独立电压。

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7V，可提供稳定的电压，但如果我们需要更大的电压时，则需串联很多的二极体，使用上不是很方便。但观察二极体逆向偏压很大时，所发生的击穿现象，此现象和正向导通时情况类似，都有稳压稳流的特性。因此，利用这个特性发明了这种特殊的二极体——齐纳二极体，特別用在逆向偏压的击穿范围。通常齐纳二极体掺杂浓度为 1 : 10。

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电压或电位差在符号上写为∆V，之后省略了差值符号，直接记为V或U。 电压可能由电荷、通过磁场的电流、或隨时间改变的磁场等因素造成。 根据前述的电压定义，会使得带有负电的物体被拉往高电压的地方，带有正电的物体被拉往低电压的地方。也因此电流从高电压流向低电压。

最基本的除尘器包含一排的细的垂直电线，和随后的一迭垂直方向的大的扁平金属板，与根据不同的应用在金属板之间通常间隔约1 cm至18 cm。空气或气体流通过电线之间的空间水平流动，然后通过金属板板的迭片。 几千伏的负电压施加在电线和平板之间。如果所施加的电压足够高，电晕放电电离在电极周围气体。负离子流向平板并且给气流颗粒充电。 烟气脱硫（Flue-Gas。

当施加超过规定电压（Break Over电压，VBO）的电压会开始导通使得端子之间的电压降低的双方向元件。用於电路的突波保护上。另，虽被称为二极体，实际的构造、动作原理都应归类为闸流管/可控硅整流器的复杂分类中。 非线性电阻器 若超过一定电压，电阻就会降低。是保护电路受到突波电压伤害的双向元件。通常。

位差。这样一来，在交流电的每个周期内，半个周期中电流与电压乘积为正，而另半个周期中电流与电压乘积为负，而且二者相加正好为0，表示每个周期内流向负载的电能全部被返还到电源中，整体上电路没有消耗电能，电路上只有无功功率流动。 在实际生活中，负载通常会同时有电阻性、电容性和电感性，因此电路上会同时有无功。

通常情况下宽度比长度大得多。长度1微米的栅极限制最高频率约为5GHz，0.2微米则是约30GHz。 这些端的名称和它们的功能有关。栅极可以被认为是控制一个物理栅的开关。这个栅极可以通过制造或者消除源极和漏极之间的沟道，从而允许或者阻碍电子流过。如果受一个外加的电压。

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